量子井戸構造半導体レ-ザの開発動向 (オプトエレクトロニクス材料<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 5p-DR-7 IV族遷移金属カルコゲナイドの光学的性質
- 30p-N-15 (C_H_NH_3)_2PbI_4の励起子に対する電場変調効果
- 5p-U-1 Strip Line法によるNarrow Gap半導体のサイクロトロン共鳴II
- 12p-F-8 Strip Line法によるNarrow Gap半導体のサイクロトロン共鳴
- 4a-R-12 HgTeの遠赤外磁気光吸収の一軸性応力効果
- 12a-W-11 Pb_Sn_xTeの遠赤外サイクロトロン共鳴
- 2p-B-14 TiSe_2の相転移 II
- 5p-DR-6 TiSe_2の相転移
- 量子井戸構造半導体レ-ザの開発動向 (オプトエレクトロニクス材料)
- 31a-BJ-7 TiSe_2 の CDW 転移