フェライト材装着金属体の静電気放電による発生磁界のFDTD解析
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概要
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近年の高度情報機器は, 高速・低電圧動作の集積回路を多用しているが故に静電気放電(Electrostatic Discharge:ESD)に対して極めて脆くなっている. この種の電磁障害については, 機器への直接的なESDよりも離れた場所でのESDの影響(これを間接ESDという)のほうが深刻な障害を及ぼすという. 筆者らは先に, 金属体間の放電による発生磁界を時間領域差分法で数値解析し, 金属体の存在がESD界を増大させることを示した. 本文では, フェライト材装着金属体のESD界のFDTD法(Finite-Differrence Time-Domain Method:FDTD)による数値解析法を示し, フェライト材の発生磁界に及ほす影響を考察する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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