高速ランダムアクセス混載DRAMにおけるパッケージ後の自動救済技術(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 混載DRAMの高速化と高集積化に伴い、最終テスト工程における歩留まり低下が深刻な問題になっている。この問題の解決のため、パッケージ後の自動救済技術を開発した。チップに期待値比較回路と不良アドレス記憶回路と救済解計算回路とアンチヒューズを搭載し、既存の後工程用テスタによるパッケージ後の自動救済を実現している。この技術を適用したランダムサイクルタイム6nsの36Mbit混載DRAMマクロを90nm混載DRAMテクノロジにて試作して、提案する自動救済技術の効果を確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-01-21

著者

• 中山 篤

  株式会社東芝 セミコンダクター社

• 和田 修

  株式会社東芝 セミコンダクター社

• 伊藤 洋

  株式会社東芝 セミコンダクター社

• 行川 敏正

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 藤井 秀壮

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 行川 敏正

  株式会社東芝 セミコンダクター社

• 藤井 秀壮

  株式会社東芝 セミコンダクター社

関連論文

• インターフェース差し替え法を用いたロジック混載DRAMの設計 (「VLSI一般」)
• メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ : メモリジェネレータを用いて2112通りの構成を生成可能な0.35um混載DRAM
• メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ
• 高速ランダムアクセス混載DRAMにおけるパッケージ後の自動救済技術(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
• 高速ランダムアクセス混載DRAMにおけるパッケージ後の自動救済技術(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
• データ線シフトリダンダンシ方式を用いたLogic混載DRAMマクロ
• フレキシブルマッピングリダンダンシ技術とアディショナルリフレッシュ方式を採用した1.6GByte/s 72Mb DRAM
• NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

スポンサーリンク