I_<DDQ>故障診断方式を用いたCMOS製造工程における欠陥箇所特定とそのモード分類

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概要

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• LSI内部に発生した物理欠陥の存在を示すI_<DDQ>異常情報を用いた診断方式を適用して、外観検査装置にて検出した任意プロセス毎の異常箇所から致命的欠陥箇所を特定するシステムを開発し、ロジック製造工程に適用する。まず、LSI内部に発生した多様なリーク故障に対するI_<DDQ>異常値の識別と、外観異常箇所の位置のずれ補正がなされた後、診断を実施する。ロジックLSI量産ラインにおける致命的欠陥箇所の特定から、工程別の欠陥検出率、欠陥のモード分類、外観異常箇所と故障有無の関係を明らかにする。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-12-01

著者

• 真田 克

  Necエレクトロニクス株式会社基盤技術開発事業本部テスト評価技術開発事業部

• 真田 克

  Necエレクトロニクス 基盤技術開発事業本部

• 植平 和生

  NECエレクトロニクス(株)プロセス開発事業部

• 真田 克

  NEC 評価技術開発本部

• 植平 和生

  NEC 第三システムLSI事業部・製品技術部

• 布施 英悟

  NEC LSI製造本部・第3製造部

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