ダブルゲートSOI MOSFETの動作理論および特性
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概要
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ダブルゲートSOI MOSFETは、バルクMOSFETのスケーリング限界の制約を受けないデバイスとして期待されている。その優れたショートチャンネル耐性、高い相互コンダクタンス、理想的なサブスレッショルド係数が理論、実験の両面から研究されてきた。ここでは、我々がこれまでこのデバイスに対して発展させてしたモデルおよび製作技術をまとめ、このデバイスの特徴的な特性がどのようにモデル化されるのかを示し、さらに0.1μmゲート長の領域でのデバイス設計指針を明確化する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-23
著者
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