微細MOSFETのスケーリング理論

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概要

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微細デバイスにおいてはチャンネル空乏層幅はチャンネルに沿って大きく変動する。しかし、それを取り入れてショートチャンネルデバイスのモデルをすることは困難である。我々はこのチャンネル空乏層幅の変動を実効的に表現するパラメータを導入し、チャンネルの2次元ポテンシャル分布を解くことによりサブ0.1-μmゲート長のデバイスのしきい値電圧モデルを導出し、そのチャンネル濃度、ゲート酸化膜厚、ドレイン電圧、基板電圧依存性が2次元デバイスシミュレータと一致することを確かめた。さらにショートチャンネル耐性が接合深さに依存する臨界ゲート長を定式化し、接合深さそのものはショートチャンネル耐性に重要ではないことを明らかにした。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-09-15

著者

鈴木邦広
富士通研究所

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