a-Si:H TFTオフ電流の過渡特性
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概要
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TFTのオフ電流の過渡変化を観測した.測定方法は,TFTに画素容量に相当するコンデンサを接続し,TFT-LCDの実駆動条件でのコンデンサの電位変化を高精度に測定することで,電流変化を計算より求めた.測定サンプルは逆スタガ形TFTで,駆動条件は,ゲートオン電圧V_<gs>=20V,ドレーン電圧V_<sig>=V_<sigc>±5V(V_<sigc>=4〜10V)とした.オフ電流は,数msの時間的遅れを伴って電流の増加・減少が生じていることが半明し,オフ電流の時間変化をゲートバイアス電圧V_<gs>とオフ電流I_<ds>の関係として示した.DC特性との比較を行うと,時間の経過と共にI_<ds>-V_<gs>曲線がV_<gs>のプラスのバイアス側からDC特性に近づく,つまり,過渡特性曲線はプラス側にシフトすることがわかった.更に,TFTの捕獲準位を仮定することで,時間的な遅れを有するオフ電流の挙動を説明できることが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-25
著者
-
鈴木 公平
(株)東芝 材料・デバイス研究所
-
鈴木 公平
(株)東芝 ディスプレイ・部品材料社
-
鈴木 幸治
(株)東芝 研究開発センター
-
鈴木 幸治
(株)東芝 材料・デバイス研究所
-
[モタイ] 友信
(株)東芝研究開発センター材料・デバイス研究所
-
鈴木 幸治
(株)東芝新映像デバイス統括室
-
鈴木 幸治
(株)東芝 材料デバイス研究所
-
[モタイ] 友信
(株)東芝研究開発センター
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