光近接効果補正技術開発
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概要
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近年、デバイスの微細化に伴い、光近接効果による寸法制御性の低下が問題となってきている。これには、L/Sパターンと孤立パターンとの寸法差や、ゲートパターンのショートニングなどが挙げられる。我々は、マスクエッジとマスクエッジ周辺の光強度を利用する新しい光強度分布シミュレーションからの光近接効果補正方法を開発した。本方式ではレジストパターンエッジでの光強度と上記の光強度とが1次関数の関係にあることを利用し、補正を行う。この補正方法を用いて、0.35μmライン一定でピッチの異なるパターンに対して、補正を行い、光近接効果が効果的に補正されることを確認した。
- 1995-10-19
著者
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松井 安次
三菱電機(株)
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森泉 幸一
三菱電機
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松井 安次
三菱電機ulsi開発研究所
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名井 康人
三菱電機(株) 生産技術センター
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中江 彰宏
三菱電機ULSI技術開発センター
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中尾 修治
三菱電機
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満田 博志
三菱電機(株) 生産技術センター
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中江 彰宏
三菱電機(株) ULSI開発研究所
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加門 和也
三菱電機(株) ULSI開発研究所
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塙 哲郎
三菱電機(株) ULSI開発研究所
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中尾 修治
三菱電機(株) ULSI開発研究所
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森泉 幸一
三菱電機(株) 半導体基盤技術統括部
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