液相シリル化による多孔質低誘電率層間絶縁膜材料
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概要
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無機SOGを液相シリル化により多孔質化することによって、比誘電率2.3、細孔径80nmの多孔質低誘電率材料を開発した。多孔質膜は無機材料でありながら、有機高分子に匹敵する低い比誘電率を示した。液相シリル化による多孔質膜は、膜形成方法として、従来から半導体プロセスに用いられているSOG工程と同様のプロセスが使用可能であり、プロセス適用性が高い材料である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-15
無機SOGを液相シリル化により多孔質化することによって、比誘電率2.3、細孔径80nmの多孔質低誘電率材料を開発した。多孔質膜は無機材料でありながら、有機高分子に匹敵する低い比誘電率を示した。液相シリル化による多孔質膜は、膜形成方法として、従来から半導体プロセスに用いられているSOG工程と同様のプロセスが使用可能であり、プロセス適用性が高い材料である。