熱抵抗を考慮したSOI MOSFETのデバイスシミュレーション
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概要
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非等温非平衡輸送モデル[1]に基づいたSOI MOSFETのデバイスシミュレーションにおいてシミュレーション領域の側面に対して対流境界条件と反射境界条件の二通りの境界条件を適用して解析した. その結果, 対流境界条件を用いたシミュレーション結果は実測値とよく一致した. また反射型境界条件を用いた場合, デバイス内部の温度を過大評価してしまうことが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-25
著者
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冨岡 進一
法政大学大学院工学研究科
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檀 良
法政大学大学院工学研究科
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冨岡 進一
法政大学大学院工学研究科 : (現)松下電器産業株式会社
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崔 愿哲
法政大学大学院工学研究科
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崔 愿哲
法政大学檀研究室博士課程
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