崔 愿哲 | 法政大学檀研究室博士課程
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概要
関連著者
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崔 愿哲
法政大学檀研究室博士課程
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檀 良
法政大学大学院工学研究科
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谷高 真一
法政大学檀研究室修士課程
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冨岡 進一
法政大学大学院工学研究科 : (現)松下電器産業株式会社
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檀 良
法政大学電子情報学科
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檀 良
法政大学
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冨岡 進一
法政大学大学院工学研究科
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崔 愿哲
法政大学大学院工学研究科
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冨岡 進一
法政大学檀研究室修士課程
著作論文
- 非平衡輸送場における SOI MOSFET の過渡解析
- 熱抵抗を考慮したSOI MOSFETのデバイスシミュレーション
- SOI MOSFETにおけるキンク現象の過渡シミュレーション
- 半導体 2-II-12 n-well CMOSにおけるラッチアッブ特性の解析 (日本シミュレーション学会 第20回計算電気・電子工学シンポジウム(1999年11月25日,26日)) -- (第2日目 平成11年11月26日(金))
- 半導体 2-II-11 非平衡輸送場におけるSOI MOSFETの過渡解析 (日本シミュレーション学会 第20回計算電気・電子工学シンポジウム(1999年11月25日,26日)) -- (第2日目 平成11年11月26日(金))
- n-well CMOS構造におけるラッチアップ特性の過渡解析
- エネルギー輸送方程式を用いたMOSFETの過渡状態におけるスナップバック解析