エネルギー輸送方程式を用いたMOSFETの過渡状態におけるスナップバック解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1999-06-14
著者
関連論文
- プロセスシミュレータPREDICTとデバイスシミュレータの結合について
- 熱抵抗を考慮したSOI MOSFETのデバイスシミュレーション
- ペトリネットによる回路のモデル化と解析・検証手法の提案
- ダイオードモデル評価演算回路の性能検証
- 非平衡輸送場における SOI MOSFET の過渡解析
- 回路シミュレータへのユーザー指定MOSモデル挿入法の検討
- プロセス・デバイスシミュレーションにおける整合問題について
- 熱抵抗を考慮したSOI MOSFETのデバイスシミュレーション
- SOI MOSFETにおけるキンク現象の過渡シミュレーション
- 流体モデルデバイスシミュレ-タへのモンテカルロ法導入の一考察
- 半導体 2-II-12 n-well CMOSにおけるラッチアッブ特性の解析 (日本シミュレーション学会 第20回計算電気・電子工学シンポジウム(1999年11月25日,26日)) -- (第2日目 平成11年11月26日(金))
- 半導体 2-II-11 非平衡輸送場におけるSOI MOSFETの過渡解析 (日本シミュレーション学会 第20回計算電気・電子工学シンポジウム(1999年11月25日,26日)) -- (第2日目 平成11年11月26日(金))
- n-well CMOS構造におけるラッチアップ特性の過渡解析
- エネルギー輸送方程式を用いたMOSFETの過渡状態におけるスナップバック解析
- 擬飽和特性を含むバイポ-ラトランジスタCADモデル
- モンテカルロ法による半導体デバイスの移動度のシミュレ-ション
- ホットキャリヤシミュレ-ションに基づく微細LDD-MOSFETの最適化 (半導体シミュレ-ション技術)