SOI MOSFETにおけるキンク現象の過渡シミュレーション
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概要
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- 1998-06-17
著者
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檀 良
法政大学大学院工学研究科
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冨岡 進一
法政大学大学院工学研究科 : (現)松下電器産業株式会社
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冨岡 進一
法政大学檀研究室修士課程
-
崔 愿哲
法政大学檀研究室博士課程
-
檀 良
法政大学電子情報学科
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