スイッチ動作GaAs MESFET用大信号モデル
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概要
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この論文ではGaAs MESFET(以下MESFETと呼ぶ)のスイッチング特性を利用したマイクロ波制御回路の解析に使用する大信号モデルを提案する. 従来の大信号モデルで使用されるドレーン電流源に代わって, 電圧制御ドレーンコンダクタンスを使ったスイッチ動作MESFET用大信号モデルを提案する. スイッチ動作MESFET用大信号モデルは, ドレーンコンダクタンスとゲートキャパシタの電圧依存性を, ゲート電圧がピンチオフ電圧以下からゼロボルト以上の広い範囲にわたって, 精度良く, 連続した関数で近似することが重要であることを示す. 提案する大信号モデルを使ったMMIC SPDTスイッチの計算機シミュレーション結果は, 小信号特性としての通過損, 反射損, 大信号特性としての基本波の入出力電力特性, 相互変調ひずみ電力特性において, 実測値とよく一致することを示し, 提案するモデルの有効性を確認する.
- 1999-05-25
著者
-
矢加部 利幸
電気通信大学情報通信工学科
-
矢部 初男
電気通信大学
-
藤井 恒平
日本無線株式会社
-
原 泰彦
日本無線株式会社
-
矢加部 利幸
電通大
-
矢加部 利幸
電気通信大学
-
藤井 恒平
アバゴ(株)
-
藤井 恒平
日本無線
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