マイクロ波特性に適合したGaAs MESFETドレーン電流モデル
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概要
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マイクロ波動作時のGaAs MESFETのドレーン電流モデルパラメータ抽出にはパルスドI-V測定が重要なことを示す. パルスドI-V測定によるドレーン電流特性を, 従来の直流測定結果を近似する目的で開発されたドレーン電流モデルでは正確に近似できないことを明らかにする. この問題を解決するため, パルスドI-V測定結果を精度良く近似できるドレーン電流モデルを提案する. 提案したドレーン電流モデルがパルスドI-V測定結果を正確に近似できること, その結果がマイクロ波特性に適合していることを検証する. 最後に, 提案したドレーン電流モデルを実際の電力増幅器非線形解析に適用し, その有効性を確認する.
- 1997-06-25
著者
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