OPE2000-37 / LQE2000-31 集積型LN変調器を用いた光SSB変調
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概要
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光通信領域において、高密度波長多重(D-WDM)技術による通信容量の増加が、盛んに行われている。近年の研究成果では、従来広いと考えられていたファイバアンプの波長帯域もほぼ全域を使用するに至っている。このような現状において、無線領域で用いられているSSB技術は、帯域抑圧、送信電力の削減において有効な技術である。今回我々は、LiNbO_3位相変調器の集積構造により光SSB変調器を構成し、原理確認とSSB変調実験を行った。この結果、10GHzの正弦波、波長1550.3nmにおいて、キャリア抑圧比21.4dB、サイドバンド抑圧比31.3dBと良好な結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-30
著者
-
及川 哲
住友大阪セメント株式会社新規技術研究所
-
井筒 雅之
郵政省 通信総合研究所
-
及川 哲
住友大阪セメント(株) 新規技術研究所 オプトエレクトロニクス研究グループ
-
下津 臣一
住友大阪セメント新規技術研究所
-
下津 臣一
通信・放送機構
-
川西 哲也
郵政省 通信総合研究所
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