ZnMgSSe系レーザダイオードの結晶成長と評価
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概要
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ZnMgSSeを用いて, II-VI族化合物半導体の成長モデルを考察した. 成長温度は275℃でデバイス作製に用いられる. ZnMgSSeの組成と成長速度, 表面状態を測定し, 実験データをモデルと比較して, 成長機構の考察を行った. 組成と成長速度はII族面とVI族面を区別して考えるモデルで説明できることがわかった. また, VI族の脱離ではクラスタの効果を取り入れることが必要であることを示した. 脱離定数は平衡蒸気圧と関係があることも示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-16
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