ZnMgSSe系レーザの特性と劣化評価 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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高密度光ディスクシステムの光源として期待されるII-VI族半導体レーザのしきい値電流密度, 光出力などの静特性はIII-V半導体レーザと遜色のないレベルにまで達しつつあり, 素子寿命の改善が実用化への重要課題である。劣化の解析, 成長方法の最適化により, 初期のデバイスに見られた積層欠陥に起因した急速劣化のモードは回避することが可能となり現在は点欠陥が関与する比較的遅い劣化モードにより寿命が律速され室温100時間動作が可能となった。再結合促進欠陥反応をべースにした劣化モデルを提案し, 現在観測されている2種類の劣化モードをこのモデルでよく記述できることを示した。更にII-VIデバイスにおいて少なくとも1.3 kA/cm^2までの高注入条件下でもカタストロフィックな劣化モードは起こらず, 実用化において致命的な材料固有の不安定性はないことを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25
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