ZnMgSSe混晶を用いた青色半導体レーザ
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概要
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ZnSeに代表されるワイドギャップII-VI族化合物半導体は、室温で可視から紫外領域に渡るバンドギャップエネルギEgを有することから、高密度光度録用光源、RGB三原色の実現によるディスプレイへの応用等が期待されている。II-VI族化合物を用いた青緑色帯半導体レーザは、1991年の米3M社Haaseらによる液体窒素温度におけるパルス発振以来ここ数年で大きな進展を見せた。本件では、その大きな原動力となったZnMgSSe混晶を用いた半導体レーザの特性と長寿命を達成した素子構造について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
石橋 晃
ソニー株式会社中央研究所
-
松元 理
ソニー株式会社中央研究所
-
伊藤 哲
ソニー株式会社中央研究所
-
池田 昌夫
ソニー株式会社中央研究所
-
伊藤 哲
ソニー(株)中央研究所
-
石橋 晃
ソニー 中研
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