ケルビンプローブ法による導電性高分子/電極界面の電子状態の検討
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概要
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本研究では、大気中における導電性高分子/電極界面の電子状態について検討を試みた。各種電極材料上に導電性高分子を製膜したものを測定用試料とし、膜厚の違いによる試料表面のフェルミ準位(E_F)及び、イオン化ポテンシャル(IP)の変化を観察した。試料表面のE_Fの測定には、ケルビンプローブ法を利用し、IPの測定には、大気中光電子分光法を用いた。電極材料にAlを用いた場合、IPとE_Fの膜厚依存性に大きな違いが見られた。
- 2001-07-19
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