[招待論文]極薄シリコン膜結晶成長の分子動力学シミュレーション(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)

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概要

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分子動力学(MD)シミュレーションを用いてエキシマーレーザアニールによるガラス基板上の薄膜シリコン(Si)結晶成長のミクロ過程を調べた。約10,000個のSi原子を含むMDセル中の結晶Siを高温で融解した後、融液Siを過冷却状態にすることにより核形成および結晶化過程を可視化した。また、ガラス構造にアルファコルツを仮定し、融液シリコン中に結晶核を埋め込んだときのラテラル成長についても解析を行い、成長界面が初期の結晶核方位によらず{111}面となることを見いだした。
2003-04-07

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