[招待論文]極薄シリコン膜結晶成長の分子動力学シミュレーション(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
分子動力学(MD)シミュレーションを用いてエキシマーレーザアニールによるガラス基板上の薄膜シリコン(Si)結晶成長のミクロ過程を調べた。約10,000個のSi原子を含むMDセル中の結晶Siを高温で融解した後、融液Siを過冷却状態にすることにより核形成および結晶化過程を可視化した。また、ガラス構造にアルファコルツを仮定し、融液シリコン中に結晶核を埋め込んだときのラテラル成長についても解析を行い、成長界面が初期の結晶核方位によらず(111)面となることを見いだした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-07
著者
関連論文
- シンクロトロン光励起プロセスの半導体応用と展望
- 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター事業の現状と利用計画
- [招待論文]極薄シリコン膜結晶成長の分子動力学シミュレーション(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- [招待論文]極薄シリコン膜結晶成長の分子動力学シミュレーション(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- W03-(1) 分子動力学シミュレーションによるシリコン結晶成長および欠陥形成過程の可視化
- [招待論文]極薄シリコン膜結晶成長の分子動力学シミュレーション(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 29pYE-2 分子動力学シミュレーションによる過冷却 Si 融液からの核形成過程の解析
- 29pYE-2 分子動力学シミュレーションによる過冷却 Si 融液からの核形成過程の解析
- 23pYP-4 シリコン融液成長における固液界面の形状と点欠陥生成過程
- シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション(高品質半導体結晶製造)
- 融液からのシリコン結晶成長過程における不純物原子の挙動 : 炭素原子
- 分子動力学シミュレーションによる融液及び融液/固相シリコン界面の構造解析 : バルク成長シンポジウムII
- シリコン融液成長における固液界面の形状と点欠陥生成過程
- シリコン単結晶におけるボイド欠陥の界面エネルギーの第一原理計算
- 高精度な炉内熱解析技術に基づくシリコン単結晶の点欠陥物性値