導電性高分子ショットキーダイオードの新規作製法(センサデバイス, MEMS, 一般)
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概要
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導電性高分子の自立膜上への新規電極作製方法として我々が提案している、剥離転写法(Peeling-off transfer)について述べる。この方法により、高分子膜を反転させること無く膜の両面に電極が取り付けられるようになり、また上下電極間の位置合わせも容易となる。ポリ(3-ヘキシルチオフェン)を用いて試作したショツトキーダイオードにおいては、高分子膜上に直接真空蒸着した場合と、本質的には同様な特性が得られた。今回は導電性高分子を用いた結果について報告するが、本方法は適当な表面的、機械的性質を持つ半導体膜であれば、材料によらず適用可能と考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-26
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