窒化アルミニウムへのメタライズ技術
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概要
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半導体素子の高集積化・高消費電力化にともない、素子の発熱量が増大するため、半導体素子を搭載する基板には、放熱性の高い基板が必要とされてきた。窒化アルミニウムは一般的に基板に用いられているアルミナに比較して、10倍の熱伝導率を有するために、高消費電力半導体素子搭載用の基板として注目を集めている。セラミックス材料を基板として用いる際に必須のメタライズ技術に関し報告する。
- 1996-11-15
著者
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後藤 智司
住友電気工業株式会社伊丹研究所電子部品研究部
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中西 秀典
住友電気工業株式会社伊丹研究所電子部品研究部
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仲田 博彦
住友電気工業(株)エレクトロニクス・材料研究所
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佐々木 一隆
住友電気工業株式会社伊丹研究所電子部品研究部
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夏原 益宏
住友電気工業株式会社伊丹研究所電子部品研究部
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飛岡 正明
住友電気工業株式会社伊丹研究所電子部品研究部
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佐々木 一隆
住友電気工業 伊丹研
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仲田 博彦
住友電気工業株式会社伊丹研究所電子部品研究部
-
飛岡 正明
住友電気工業 伊丹研
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