窒化アルミニウムへの厚膜メタライズ技術

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概要

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半導体素子の大型化、高消費電力化に伴い素子実装時の熱応力の緩和および作動時の発熱が問題となってきた。AlNは低膨張率、高熱伝導率を有し、これら要求特性を満足する優れた材料として、実用化が進められている。我々は、メタライズ技術に於いて、安価なプロセスである厚膜メタライズ技術を開発し、世界に先駆けて実用域の密着強度を有する独自の技術により、各種用途のヒートシソク基板として製品化を行ってきた。一方素子の高集積化により、素子を搭載する基板配線もますます高密度化しており、従来高価なプロセスである薄膜メタライズ法で対応せざるを得ない状況であった。今回、ぺースト及び印刷技術の開発を進め、従来薄膜メタライズ法の領域であったメタライズ線幅/線間隔=75/75(μm)のファインパターンの領域まで対応が可能となった。
1995-10-20

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