TNセルにおけるしきい値電圧の周波数特性に及ぼす可動性イオンの影響
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概要
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液晶層中に可動性イオンを含むTNセルのしきい値電圧の低周波領域における特性について検討した。TNセルの等価回路を用いることにより配向膜の影響を考慮した上で、液晶層中の内部電界について数値計算をおこない、有効にかかっている電圧の実効値を計算した。液晶層中の可動イオンの振る舞いにより形成される内部電場をミクロな視点で解析することにより、しきい値電圧の低周波領域における特性をうまく説明することが可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-09
著者
-
沢田 温
メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター
-
苗村 省平
メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター
-
苗村 省平
メルク(株)液晶事業部厚木テクニカルセンター
-
苗村 省平
メルク・ジャパン(株)、厚木テクニカルセンター
-
沢田 温
メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター
-
澤田 温
メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター
-
佐藤 博茂
メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター
-
中園 裕司
メルク・ジャパン株式会社厚木テクニカルセンター
-
澤田 温
メルク・ジャパン(株)
-
佐藤 博茂
メルク・ジャパン株式会社 厚木テクニカルセンター
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