横電場中での強誘電性液晶による光スイッチング特性
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概要
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平板ガラスにギャップが30μm、長さ25mmのスリット型電極対を作り、間隔2μmで平板ガラスを向かい合わせたセルに強誘電性液晶を注入し、横電場(Horizontal Electric Field:HEF)を加えて電圧-光透過度(Tr-V)特性を測定した. HEFセルの電気光学特性の実験結果から、Tr-V特性にはヒステリシスがあり、コントラスト比は30:1に達した. HEFセルの光スイッチング応答から、セル中央部ではスメクチック層法線周りの回転が容易に起こり、応答時間は5ms以下、スイッチング電流は約10^<-9>Aであった.壁面近くの分子は動きにくく、閾電界強度2 [V/μm]以上で動くことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-02-21
著者
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