横電場中での強誘電性液晶による光スイッチング特性
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概要
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平板ガラスにギャップが30μm、長さ25mmのスリット型電極対を作り、間隔2μmで平板ガラスを向かい合わせたセルに強誘電性液晶を注入し、横電場(Horizontal Electric Field : HEF)を加えて電圧-光透過度(Tr-V)特性を測定した.HEFセルの電気光学特性の実験結果から、Tr-V特性にはヒステリシスがあり、コントラスト比は30 : 1に達した.HEFセルの光スイッチング応答から、セル中央部ではスメクチック層法線周りの回転が容易に起こり、応答時間は5ms以下、スイッチング電流は約10^<-9>Aであった.壁面近くの分子は動きにくく、閾電界強度2[V/μm]以上で動くことがわかった.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-02-21
著者
-
岡田 裕之
富山大学工学部理工学研究科ナノ新機能物質科学専攻
-
女川 博義
富山大学工学部
-
岡田 裕之
富山大学工学部 理工学研究科 ナノ新機能物質科学専攻
-
蒋 敏
富山大学 工学部 電子情報工学科
-
蒋 敏
富山大学工学部電子情報工学科
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