ハンダバンプ形成工程における電極構造の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年, LSI配線の高密度化が進み, 実装状態としてフリップ・チップ実装が注目されるようになった。フリップ・チップ実装に用いるためのバンプ形成は, 電解めっき法が主流になってきている。電解めっき法では, シードフィルム(Seed Film)と呼ばれるカソード(電極膜)をスパッタ法を用い形成し, ホトリソ工程でめっきマスクを形成し, そのパターンを用いてめっき付けを行う。また, バンプを形成するLSIで多層配線が主流となっており, 単層配線構造に比べパッシベーションに膜形成を行った場合の耐性が弱くなっている。そこで, 本稿では, 多層配線LSIの電極部のパッシベーションビア構造の違いによるLSIバンプ形成への影響を調査したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
浅井 正男
沖電気工業株式会社コンポーネント事業部
-
小里 貞二郎
沖電気工業株式会社ネットワークデバイス開発センタ
-
渋谷 仁
沖電気工業株式会社ネットワークデバイス開発センタ
-
浅井 正男
沖電気工業株式会社
-
浅井 正男
沖電気工業株式会社ネットワークデバイス事業推進センタ
-
渋谷 仁
沖電気工業株式会社第二基幹ネットワーク事業部
-
小里 貞二郎
沖電気工業株式会社総合デザインセンタ
-
吉原 勝之
沖電気工業株式会社ネットワークデバイス事業推進センタ
関連論文
- SFFトランシーバモジュール
- ベアファイバ接続型LDモジュールの検討 (MES'98 第8回マイクロエレクトロニクスシンポジウム) -- (光実装)
- 簡易構造レセプタクル型PIN-PDモジュール
- ベアファイバ接続型LDモジュールの検討
- 高密度高温はんだバンプ技術の検討
- ベアファイバ接続型LDモジュールの検討
- ベアファイバ接続型LDモジュールの検討
- ベアファイバ接続型LDモジュールの検討
- SFFトランシーバモジュール
- B-10-53 2.5Gbit/s LC-SFF 光トランシーバの開発
- SC-3-4 2.48Gbit/s MUインターフェースSFF光トランシーバ
- Sn-Agはんだバンプ技術の検討
- ハンダバンプ形成工程における電極構造の検討
- 半導体パッケージにおけるヒートシンク設計手法
- 高温半田バンプにおける接続信頼性評価
- 高速MCM用低温焼成セラミック多層基板の開発 (電子部品特集)
- フリップチップ搭載BGAの開発 (電子部品特集)
- 高温半田バンプにおける接続性の検討