多層基板のディカップリング
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概要
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ディジタル回路の高周波動作に伴い、多層基板の電源/グランド層に重畳されるノイズが増大し、ディジタル回路の誤動作や信号品質の劣化を招く。電源/グランド層の雑音を減少するため、ディカップリングキャパシタが使用されるが、従来は、接続用のヴィアやトレースのインダクタンスがかなり大きい条件で、ディカップリングコンデンサの影響が検討されてきた。今回、ディカップリングキャパシタを電源/グランド層に直接接続する構成の多層基板を作成し、接続インダクタンスがほとんど無視できる状態で多層基板の電源/グランド層のインピーダンスとディカップリングキャパシタの関係を実験的に検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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