高速信号伝送用銅ポリイミド多層基板
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概要
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移動体通信の利用が増加する現在、そのアプリケーションも多岐にわたってきている。それに伴い、より高い周波数の利用が必要となりつつある。この様な高い周波数のモジュールを実現するには、配線の微細化による小型化、配線の伝送損失の低減、抵抗・キャパシタンスの内蔵化等が課題となってくる。その課題を解決するため、我々は(1)銅等の低抵抗導体で微細配線が形成できる、(2)層間絶縁膜のtan δ が低く誘電体損による伝送損失が抑えられる、(3)抵抗・キャパシタンスの内蔵化が可能である、(4)MCM-D/Cとして信頼性が実証されている等の理由から、多層セラミック+銅ポリイミド多層基板(Cu-PI)技術の利用を提案する。今回は、伝送損失の検討及び薄膜キャパシタンスの機能付与を中心に報告を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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大野 猛
日本特殊陶業(株)総合研究所
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高田 俊克
日本特殊陶業(株)総合研究所
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大野 猛
日本特殊陶業株式会社総合研究所
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若松 進
日本特殊陶業株式会社
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早川 俊高
日本特殊陶業株式会社
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神田 篤
日本特殊陶業株式会社
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大野 猛
日本特殊陶業(株)技術開発本部開発センター
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神田 篤
日本特殊陶業
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大野 猛
日本特殊陶業(株)技術開発本部
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高田 俊克
日本特殊陶業(株)技術開発本部
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高田 俊克
日本特殊陶業株式会社総合研究所
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