Hodgkin-Huxleyニューロンを用いたワーキングメモリの数理モデルと神経調節の効果
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概要
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1コンパートメントのHodgkin-Huxleyニューロンからなるワーキングメモリの数理モデルを提案する.提案する数理モデルは,興奮性ニューロンと抑制性ニューロンからなるものとし,興奮性ニューロンは,さらに,選択的ニューロンと非選択的ニューロンからなるものとする.選択的ニューロンは部分集団を形成し,構成要素である選択的ニューロンが重複しない部分集団が複数個存在するものとする.同じ部分集団に属するニューロン間のシナプス強度は増強されているものとする.数値実験により,ワーキングメモリによる記憶の保持に対応する選択的ニューロンの部分集団の持続的発火が得られた.さらに,ある部分集団の持続的発火が起こっている場合に他の部分集団への外部入力を強めると, NMDAシナプス強度や外部入力強度に依存して,外部入力が強められた部分集団の持続的発火への遷移が起こる場合と元の部分集団の持続的発火が維持される場合が得られた.これらの結果は,神経調節の効果および外部入力の強度はワーキングメモリに対して重要な役割を果たしていることを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-28
著者
-
大森 敏明
東大院新領域:理研脳総研
-
大森 敏明
東北大院情報科学
-
大森 敏明
東北大学大学院情報科学研究科
-
堀口 剛
東北大学大学院情報科学研究科
-
Horiguchi Tsuyoshi
Faculty Of Agriculture Kagoshima University
-
大森 敏明
東京大学大学院新領域創成科学研究科|理化学研究所脳科学総合研究センター
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