パッケージに用いた複合磁性材料によるICからの電磁雑音の抑圧特性

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概要

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ICのスイッチング動作の高速化に伴い、ICそれ自体から発生する電磁妨害雑音が無視出来なくなってきている。この電磁妨害雑音を抑圧する一方法としてICを電磁波吸収材でパッケージ成型することが考えられる。フェライト・樹脂複合磁性体でパッケージ成型した高速CMOS標準ロジックICを周波数10MHzおよび100MHzで,駆動し、電源供給端子、信号出力端子における高周波電流および遠方での電界強度を測定した。パッケージ成型に用いた複合磁性体中に占めるフェライト粉末重量配合比率を50%、65%、80%と変えた場合、重量配合比率が高まるにつれて電源供給端子の高周波電流が減り、電界強度も低減した。これは、パッケージ成型に用いた複合磁性体の複素比透磁率が、ICの電源供給端子の高周波におけるインピーダンスを増大させた結果と推察される。
1999-10-22

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