PECVD法によるa-SiO_x:H薄膜の堆積メカニズム
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概要
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種々の組成を持つ水素化アモルファス酸化シリコン(a-SiO_x:H)膜を、SiH_4およびN_2Oガスを用いたプラズマ化学気相蒸着法により作製した。膜の構造特性を調べるために、X線光電子分光法、赤外線吸収測定における化学シフトを用いた。X線光電子分光法から求めたアモルファスネットワークにおけるシリコン中心のSi-Si_3OおよびSi-Si_2O_2四面体の存在比は、ランダムボンディングモデルで期待される値よりも小さな値を示した。この結果は、Si-H伸縮振動の変化が組成比xが0.5〜1.0の範囲で不連続であるという事実と符合する。材料ガスのプラズマ中での滞在時間の増加に伴い、堆積速度が減少することがわかった。これらの結果は、a-SiO_x:Hの堆積プロセスが中間組成領域において幾分反応律速であることを示す。
- 1997-08-04
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