2レベル独立エッジ検出による光磁気ディスクのパーシャルレスポンス再生方式
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概要
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光磁気再生系に適したパーシャルレスポンス(PR)方式について報告する。光スポット径比1, 3に担当する微小記録マークの再生には、レスポンス特性からPRクラスIIもしくはこれを一般化したPR(1,μ,1)の適用が望ましい。また、媒体や回路特性の変動に強い独立エッジ検出方式をPR系に適用した2レベル独立エッジ検出(DLE)方式を新規に考案した。DLE方式は通常のレベル判定方式に比べて検定点S/Nが約2.5dBだけ有利となる。S/N(rms)=20dBの条件で、10^4サンプル時のウインドウマージンは50%である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
-
釘屋 文雄
日立製作所中央研究所
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嵯峨 秀樹
(株)日立製作所中央研究所
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嵯峨 秀樹
日立製作所研究開発本部
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助田 裕史
(株)日立製作所中央研究所
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土永 浩之
日立製作所中央研究所
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助田 裕史
日立製作所中央研究所
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助田 裕史
日立製作所デジタルメディア製品事業部
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嵯峨 秀樹
日立製作所
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