半導体磁気抵抗効果を利用した再生ヘッド(記録媒体及び一般)
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概要
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半導体の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子の最適な電極配置を有限要素法を用いて解析した.MR素子の磁気抵抗比は電圧端子の位置に依存し,対称な電極配置よりも非対称にしたほうが高い磁気抵抗比が得られた.非対称に電極を配置したときに電極間距離25 nm,0.005Tの磁場で6.9%の磁気抵抗比を得た.再生感度をさらに向上するためにフラックスガイドMR素子を提案した.その結果,0.005Tの低磁場で138%の磁気抵抗比が得られることが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-01
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