Si-MOSFETにおける単一電子チャージング効果
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概要
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互いに電気的に絶縁された2重ゲートを有するSi-MOSFETを用いることによって、単一電子伝導の観測に成功した。本デバイスにおいては、チャネルにおける電子濃度及び等間隔のポテンシャルバリアの高さを、電界によって制御をする。この結果、同一デバイスにおいて、チャネルの構造を量子細線から量子ドット列へと連続的に変化させることができた。温度T=100mKにおいて観測された電気伝導特性は、クーロンブロッケードのモデルで半定量的に解釈できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-23
著者
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吉村 俊之
日立 中研
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松岡 秀行
日立中研
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武田 英次
(株)日立製作所中央研究所
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武田 英次
日立製作所中央研究所ulsi研究センタ
-
市口 恒雄
日立基礎研
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松岡 秀行
日立製作所中央研究所
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市口 恒雄
日立製作所基礎研究所
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吉村 俊之
日立製作所中央研究所
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