武田 英次 | (株)日立製作所中央研究所

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著作論文

• Si-MOSFETにおける単一電子チャージング効果
• ナノメターリングラーフィにおけるレジストパターンゆらぎのシミュレーションによる解析
• 圧縮応力誘起のホットキャリヤ電子捕獲準位低下現象
• ホットキャリヤシミュレ-タH2-CASTの開発とLDD構造への応用
• ULSIデバイス・プロセス技術 (社)電子情報通信学会(編),菅野卓雄(監修),伊藤隆司(編著)
• シリコン半導体デバイス技術

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