ナノメターリングラーフィにおけるレジストパターンゆらぎのシミュレーションによる解析
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概要
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リソグラフィの解像寸法が200nm以下になると,ショットノイズなどの露光強度の不均一性や,レジスト反応によって生ずるパターン線幅のゆらぎが解像性劣化の要因となる.このゆらぎの影響を検討するため,新たに分子スケールのレジスト反応とレジストポリマーの離散モデルに基づくシミュレーションを開発した.電子線やX線露光でポジ型レジスト(PMMA)やネガ型の化学増幅型レジスト(SAL-601,AZ-PN100)のパターンに生ずるゆらぎのシミュレーションを行い,転写実験と比較検討した結果,パターン側壁に生ずる粗さが2-3nm,線幅のゆらぎが15-22nmにも及ぶこと,さらに,プロセス条件からゆらぎの量が予測できることなどの重要な知見が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-28
著者
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宿利 章二
日立製作所中央研究所
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吉村 俊之
日立 中研
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小川 太郎
日立製作所中央研究所
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武田 英次
(株)日立製作所中央研究所
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武田 英次
日立製作所中央研究所ulsi研究センタ
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吉村 俊之
日立製作所中央研究所
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小川 太郎
(株)日立製作所 中央研究所
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宿利 章二
(株)日立製作所半導体事業部
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E.W シェクラー
日立製作所中央研究所
-
E.w シェクラー
モノリステクノロジーズ
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