MESFETの光制御に関する一考察
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概要
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GaAsMESFETを用いた増幅器において、FETチップに光を照射した場合の光に対する利得特性の変化を0.5〜4.5GHzにおいて測定している。その結果、光によって増幅の得られる帯域幅が広くなることを示している。次に、FETを小信号等価回路で表した場合の各素子パラメータの光照射特性を明らかにし、バイアス電圧、ならびに周波数依存性について考察を加えている。さらに、照射光に依存する等価回路を用いて利得特性のシミュレーションを行い、測定結果と比較・検討している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-17
著者
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島崎 仁司
京都工芸繊維大学大学院 工芸科学研究科
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堤 誠
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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中井 賢也
京都工芸繊維大学工芸学部
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堤 誠
京都工芸繊維大学
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島崎 仁司
京都工芸繊維大学 大学院 工芸科学研究科
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