光磁気記録におけるRLL変調方式の検討
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概要
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高密度光磁気記録において、RLL記録符号を用いて記録再生を行う時、線密度によって、より適した最小ランdを選択する必要がある。ここでは、われわれの開発した最小ランd=1(RLL1-6), d=2(VTM), d=4(VFM)であるRLL記録符号を述べ、次にこれらのDSV制御の方法について述べる。また、λ=785nm、NA=0.50の光変調MO実験機において、1.89 bit/μm、2.27 bit/μm、2.63 bit/μmの線密度でd=2,4の符号列を記録再生し、ビット誤り率を測定したところ、2.27 bit/μm程度ではd=2の方が、そして2.63 bit/μm程度では逆にd=4の方が良かった。そしてd=4についてビタビ復号を行なったところ、ビット誤り率はさらに低下し、2.03 bit/μmにおいて10^<-4>以下であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
新福 吉秀
ソニー株式会社 コアデバイス開発本部
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井野 浩幸
ソニー株式会社 総合研究所AV研
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井野 浩幸
ソニー株式会社 コアテクノロジー開発本部
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井野 浩幸
ソニー株式会社
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新福 吉秀
ソニー株式会社 コアテクノロジー開発本部
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新福 吉秀
ソニー株式会社
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中川 俊之
ソニー株式会社中央研究所第2基盤研究部
-
中川 俊之
ソニー株式会社:メディアプロセシング研究所
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