ケルビンプローブ法による導電性高分子/電極界面における電子状態の解明
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概要
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本研究では, ケルビンプローブ法を用いて大気中における導電性高分子/電極界面の電子状態の解明を目的とした.様々な電極材料上に導電性高分子を製膜し膜厚の変化による試料と基準電極Auとの接触電位差, イオン化ポテンシャル(IP)の変化を調べた結果, 導電性高分子のIPと電極材料の仕事関数の差によって界面近傍での電子状態に違いが表れることがわかった.Alを電極材料に用いた場合, 導電性高分子のIPと接触電位差の膜厚依存性に顕著な相違が見られた.
- 2001-12-01
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