金属-ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン錯体を用いるサリチル酸イオン選択性電極
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概要
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サリチル酸イオンに応答性のよい被覆膜炭素棒型電極を試作し, その性能を検討した.電極は中性配位子のビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンを含む可塑化ポリ塩化ビニル膜を炭素棒に被覆し.金属サリチル酸塩との錯体を膜内に形成させたものである.金属には, Pd(II), Rh(III)及びCu(II)を用いた.どの金属錯体でもサリチル酸イオンセンサーとして有効であるが, Cu(II)錯体の場合, 比較的良好な特性を示し, 検出下限8×10^<-6>mol dm^<-3>, pH範囲4.5〜9.5及び応答時間5〜6秒であった.共存イオンの影響はおおむねホフマイスター系列に従うが, スズ(IV)-ボルフィリン錯体を用いる電極に比べ, 酢酸及び安息香酸の各イオンの妨害が少なく, 塩化物イオンでは10gK^<pot>_<Sal, Cl>は-3.1でほぼ同程度の値である.
- 1993-06-05
著者
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