中性子放射化分析法によるシリコンウェハー表面の銅の定量
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
中性子放射化分析によるシリコンウェハー表面の極微量の銅の定量法について検討した.原子炉照射に伴う汚染を防ぐため, 種々の高分子フィルムの純度, 及び, フィルムからの汚染量を定量的に評価した.その結果, 高密度ポリエチレンを包装材として用いることにより, 銅の汚染を10^<10> atoms cm^<-2>以下にできる見通しを得た.同フィルムを包装材として, 市販ウェハーの中性子分析を行った結果, 分析操作に伴う汚染は多くとも6×10^9 atoms cm^<-2>であった.井戸型Ge検出器を用いる機器的方法では, 検出感度が改善されかつ^<24>Naの妨害が低下し, 4×10^9 atoms cm^<-2>までの分析が可能であった.更に, 化学分離を併用すると1.9×10^9 atoms cm^<-2>以下の銅の定量が可能であった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1993-04-05
著者
関連論文
- C-3-34 1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
- 光増幅器用テルライト/フッ化物ファイバモジュールの信頼性
- 光増幅器用テルライト/フッ化物ファイバモジュールの信頼性
- 光増幅器用テルライト/フッ化物ファイバモジュールの信頼性
- 光増幅器用テルライト/フッ化物ファイバモジュールの信頼性
- 超広帯域テルライトラマンアンプの増幅特性
- 超広帯域テルライトラマンアンプの増幅特性
- 超広帯域テルライトラマンアンプの増幅特性
- 超広帯域テルライトラマンアンプの増幅特性
- C-3-38 980 nm帯励起EDTFAの雑音特性
- C-3-37 L帯テルライト系EDFAの利得制御性
- 不足当量及び機器的/荷電粒子放射化分析による高純度鉄中の酸素, 窒素, 炭素及びホウ素の定量
- 中性子放射化分析法によるシリコンウェハー表面の銅の定量
- 荷電粒子放射化分析法による超伝導セラミックス中の高確度酸素分析
- 2p-B-1 BaPb_Bi_xO_3の組成分析
- 10. 荷電粒子放射化分析
- 粒子励起X線分析による石英ガラス膜中のチタンの定量(表面・界面・薄膜と分析化学)
- α線共鳴散乱法 (酸化物超伝導体中の酸素含有率の測定(技術ノ-ト))
- デュアル・コンパレーター法によるガドリニウムを含むフッ化物ガラス及びガラス原料中の希土類元素の中性子放射化分析(無機材料分析のためのスペクトロメトリー)
- まえがき(講座 原子炉施設の中性子照射装置)
- 軽元素の荷電粒子放射化分析(荷電粒子放射化分析施設)
- 31p-B1-13 BaPb_Bi_xO_3中の酸素欠陥の定量(31p B1 低温)