強磁場がGaPのLPE成長過程に及ぼす影響 : エピタキシャル成長IV
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概要
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In this research, the morphological changes during GaP LPE growth of the S/L interface were observed under strong static magnetic field using near-infrared microscopic interferometer. We discussed the damping effect of convection on the surface morphology during dissolution and growth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
稲富 裕光
JAXA
-
菅又 信
日本大
-
稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙環境利用科学研究系
-
稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構・宇宙科学研究本部
-
稲富 裕光
宇宙研・宇宙基地利用研究センター
-
栗林 一彦
宇宙研・宇宙基地利用研究センター
-
加藤 綾子
日大・生産工
-
菅又 信
日大・生産工
-
加藤 綾子
宇宙化学研究所
-
稲富 裕光
宇宙航空研究開発機構
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