Siエピタキシャル成長におけるCOPピットの挙動(<小特集>バルク成長分科会特集 : シリコン結晶の最近の話題から)

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概要

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• Behavior of COP pits on the substrate surface during Si epitaxial growth is studied. COPs easily disappear by atmospheric pressure epitaxy using SiHCl_3 and SiH_2Cl_2. However, in the case of the reduced pressure epitaxy, many COPs remain as pits on the surface of epitaxial layer up to 5μm thickness. Such behaviors depend on the growth conditions.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1997-12-20

著者

• 新屋敷 浩

  三菱マテリアル株式会社中央研究所

• 島貫 康

  三菱マテリアルシリコン(株)

• 新屋敷 浩

  三菱マテリアルシリコン(株)開発センター

• 木村 雅貴

  三菱マテリアルシリコン(株)開発センター

• 島貫 康

  三菱マテリアルシリコン(株)開発センター

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