K-0727 シリコン原子の表面マイグレーションの分子動力学シミュレーション(G03-10 解析・シミュレーション)(G03 材料力学部門一般講演)
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概要
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The behaviors of a Si atom or a Ge atom diffusing on a Si(001) stepped surface are investigated by the method of molecular dynamics in order to understand the elementary processes of the molecular beam epitaxial growth of the deposited atoms. In the calculation of the interatomic forces, the Stillinger-Weber potential is used. The sequential depositions of Si or Ge atoms are also simulated, and the conditions that the deposited atoms form a crystal structure or an amorphous one are seeked.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-08-22
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