601 半導体ナノ構造の分子動力学シミュレーション(材料のミクロ塑性)(OS.3 弾塑性材料のシミュレーションと実験)
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概要
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The molecular beam epitaxial growth of Si/Si and Ge/Si systems are investigated by the molecular dynamics simulation. It is found that single deposited atoms are likely to move along dimer arrays and that whether deposited atoms take a crystal structure or an amorphous one depends on the substrate temperature and the energies of deposited atoms.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-03-09
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