溶液成長に於ける溶質場の安定性解析
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概要
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The authors have reported a critical gap length between two Si substrates at which the growth rate becomes zero during the solution growth. In this paper, the mechanism for explaining the abrupt change in the growth rate is proposed using the analysis of governing perturbation equations in the solute field. The results show that a non-dimensional parameter GrSc ∂c/∂y determines the stability in the solute field, and further instability which causes the flow in the solute field sets in at the critical gap length. This leads to the conclusion that the growth on the substrate does not take place because the solute diffusion in the solvent dominates below the critical gap length.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1998-01-25
著者
-
押川 渡
琉球大学工学部機械システム工学科
-
斉藤 正敏
琉球大学工学部
-
糸村 昌祐
琉球大学 工学部 機械システム工学科
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押川 渡
琉球大学工学部
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糸村 昌祐
琉球大学工学部
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斉藤 正敏
琉球大
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斉藤 正敏
琉球大学工学部機械システム工学科
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