少量のY_2O_3とNd_2O_3を添加したち密な窒化ケイ素
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概要
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Silicon nitride containing 0.5-10 mol% of Y_2O_3-Nd_2O_3 was fired at 1600°-1900℃ in 10 MPa N_2 to investigate the lowest limit of additives to density Si_3N_4 using gas pressure sintering. One mol% oxide additive was found to be sufficient for densification. This material fired at 1900℃ for 4 h was densified to 97% of theoretical with the average bending strength of 784 MPa.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1989-06-01
著者
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